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2020-11-02
2020-10-26
2020-10-20
2011年,中微第二代電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品Primo AD-RIE刻蝕設(shè)備研制成功,可用于45nm到14nm后段制程以及10nm前段應(yīng)用的開(kāi)發(fā)。同時(shí),中微通過(guò)建立全球化的采購(gòu)體系,與供應(yīng)商密切合作,制造出模塊化、易維護(hù)、具有成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品;其通過(guò)科學(xué)的方法管理庫(kù)存,有效地降低了公司的運(yùn)營(yíng)成本。2013年,CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品Primo SSC AD-RIE刻蝕設(shè)備研制成功,可用于40-7nm工藝。三代刻蝕設(shè)備,不斷迭代,產(chǎn)品線覆蓋了多個(gè)制程的微觀器件的眾多刻蝕應(yīng)用干式恒溫加熱器。半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的波動(dòng)要大于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的波動(dòng),更大于 GDP 的波動(dòng)。僅靠單一的設(shè)備產(chǎn)品來(lái)發(fā)展的企業(yè)無(wú)法抵御市場(chǎng)波動(dòng)帶來(lái)的不確定性。為此,中微公司的半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)了多產(chǎn)品覆蓋,2010年,首臺(tái)深硅刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功;2012年首臺(tái)MOCVD設(shè)備產(chǎn)品研制成功,產(chǎn)品覆蓋集成電路、MEMS、LED 等不同的下游半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。在中微的主要產(chǎn)品線刻蝕設(shè)備方面,國(guó)際巨頭泛林科技、東京電子和應(yīng)用材料均實(shí)現(xiàn)了硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、金屬刻蝕的全覆蓋,他們占據(jù)了全球干法刻蝕機(jī)市場(chǎng)的90%以上份額。即便如此干式恒溫加熱器,中微還是在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了突圍,將產(chǎn)品打入臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際等芯片生產(chǎn)商的40多條生產(chǎn)線,并實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。